Сотрудники Университета Тохоку (Япония) сумели довести плотность записи информации на сегнетоэлектрический носитель до 4 Тбит в пересчёте на один квадратный дюйм.

Эта цифра примерно в восемь раз превосходит показатели современных магнитных жёстких дисков.

При записи крошечный кантилевер перемещается над поверхностью сегнетоэлектрического материала. В случае подачи электрического импульса состояние поляризации в сканируемой в данный момент области изменяется, определяя записанное в эту ячейку значение. Выполненные ранее эксперименты показали, что изменение состояния нескольких расположенных рядом ячеек приводит к «размыванию» их границ; решить проблему помогла методика распознавания таких последовательностей в исходных данных и уменьшения напряжения при записи.

Рис. 1. Сегнетоэлектрические домены в кристалле PbTiO3 (иллюстрация Sang-Wook Cheong).

Авторы считают, что в будущем эта технология сможет заменить традиционные жёсткие диски или флеш-память в тех областях, где важны высокая плотность расположения данных и небольшой физический объём носителя. Пока учёным, впрочем, необходимо наращивать скорость записи и точность считывания данных, а также искать способы снижения стоимости сегнетоэлектрической подложки. Кроме того, возможности жёстких дисков со временем обязательно будут расти: компания Seagate, к примеру, обещает довести плотность записи до 50 Тбит на один квадратный дюйм.

Результаты исследований опубликованы в журнале Applied Physics Letters.

По материалам