Согласно планам HP, RRAM в скором времени заменит собой flash и DRAM.

Слово «мемристор» происходит от сочетания «memory» – память и «resistor» – сопротивление. Данный элемент, как можно понять из названия, представляет собой резистор, обладающий свойствами памяти. В 2008 году исследователи из Hewlett Packard создали первый образец мемристора, что до этого считалось нереализуемым на практике. С тех пор учёными было приложено много труда, и вот, сотрудники HP с уверенностью сообщают о скором появлении на рынке первых устройств с применением мемристорной памяти RRAM. Данный тип памяти, благодаря своей скорости и энергонезависимости, может быть использован как в оперативной памяти, так и в накопителях.

Поддержку HP в этом вопросе будет оказывать компания Hynix, крупный игрок на рынке оперативной памяти и другой микроэлектроники. Она будет отвечать за технологические вопросы, а так же предоставит HP свои производственные мощности. Согласно заявлению высокопоставленного представителя HP Стэна Уильямса (Stan Williams), его компания настроена на продуктивное сотрудничество с Hynix, и, по прошествии 18 месяцев, накопители с применением RRAM существенно потеснят flash. Ближе к 2015 году данная технология выйдет на рынок памяти DRAM, а чуть позже составит конкуренцию SRAM. Победу над flash Уильямс уже видит в кармане HP, бравируя: «Как бы хороши не были flash-накопители, наше предложение будет в два раза лучше». Остаётся ловить HP на слове и ждать скорого анонса новых продуктов.