На IDF Fall 2011 компания Intel совместно с Micron продемонстрировала любопытную разработку, названную Hybrid Memory Cube (HMC). Полупроводниковое устройство претендует на роль нового стандарта оперативной памяти и представляет собой «слоёный пирог» из кристаллов DRAM, которые располагаются на слое управляющей логики и объединены по принципу «through-silicon via». Трёхмерная структура микросхемы позволяет добиться увеличения пропускной способности в 10–15 раз в сравнении с DDR3 (показанный прототип покорил рубеж в 128 Гбайт/с) и снижения энергопотребления на 70% в пересчёте на единицу переданных данных.

В октябре был создан консорциум HMC, участники которого должны были стандартизировать «кубы памяти» для упрощения интеграции этого типа запоминающего устройства. Скептически настроенная в отношении подобного рода технических революций общественность могла ожидать, что процесс коммерциализации HMC может затянуться, но Micron и IBM объявили о начале производства кристаллов памяти, необходимых для создания HMC.

Микросхемы будут производиться на фабриках IBM в Восточном Фишкилле (штат Нью-Йорк) по 32 нм технологии с применением металлических затворов и «high-K диэлектриков» (HKMG).

Первые партии HMC, по всей видимости, достанутся производителям оборудования для построения высокопроизводительных систем, центров обработки данных и суперкомпьютерных кластеров, а после «обкатки» технология станет доступна и для домашних компьютеров. Узнать больше можно на официальной странице Hybrid Memory Cube на сайте Micron.

Ранее мы уже рассказывали о компании Samsung Electronics, и ее планах касательно развития направления многослойной кубической памяти (multi-layer hyper memory cube, HMC).