Исследователи из Аризонского университета получили новый материал, который способен поддерживать высокоскоростные коммуникационные системы. Данная разработка может повысить КПД существующих солнечных батарей на основе кремния. Открытие также может быть применено для улучшения чувствительности и эффективности твердотельных сенсоров и приборов освещения.

В основе изобретения лежит однокристаллическая нанопроволока, состоящая из соединений эрбия – это химический элемент из группы лантаноидов. Обычно он используется для усиления сигнала в оптоволоконных материалах.

Профессор Цунь-Чжэн Нин говорит, что применяемые сегодня технологии не гарантируют впрыска в волокно необходимого количества атомов, что налагает определенные ограничения на минимальную длину волокна. Как раз это является причиной, почему данную технологию до сих пор не удавалось перенести на микрочипы.

Материал, который разработали ученые, содержит в тысячу раз больше эрбия, что позволяет его использовать в масштабах одиночного чипа. Если соединять такое волокно с кремниевыми полупроводниками, можно намного увеличить скорость передачи – как передачи информации, так и передачи импульса в солнечных батареях.