В рамках исследования свойств наноскопических магнитных материалов, проводимых Национальным институтом стандартов и технологий (NIST), США, учёные создали несколько тысяч никелево-железных магнитов методом электронно-лучевой литографии.

Когда учёные стали исследовать магнитные свойства полученных образцов при помощи лазера, обнаружилась интересная тенденция. Чем сильнее форма магнита отличается от правильного эллипса, тем более запутанным получается рисунок вращения электронов при прохождении магнитного поля. Нечто подобное можно увидеть, наблюдая за волнами в луже неправильной формы, если бросить в неё камушек.

Рис. 1.

Рисунок вращения электронов меняется каждый раз, при изменениях в интенсивности воздействующего магнитного поля. Это натолкнуло учёных на мысль о возможности использования подобных наноэлементов в оперативной памяти компьютера, основанной на использовании этой зависимости. Spin-RAM, как её назвали учёные (от английского spin – «вращение»), является одной из возможных технологий создания оперативной памяти будущего – с низкими запросами электроэнергии, миниатюрной и быстрой.