ОАО РОСНАНО стало владельцем 49% акций ООО «Крокус Наноэлектроника» («Crocus Nano Electronics»), которое построит первый в России завод по производству магниторезистивной памяти следующего поколения.

Активы получены РОСНАНО 27 мая. Условия сделки не сообщаются.

ОАО РОСНАНО и французская Crocus Technology, ведущий разработчик магниторезистивной памяти, в мае объявили о заключении инвестиционного соглашения о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения на общую сумму 300 миллионов долларов.

В рамках нового соглашения РОСНАНО и Crocus создают компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России первый в мире завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нанометров с применением технологии термического переключения (Thermally Assisted Switching — TAS), разработанной Crocus.

Магниторезистивная оперативная память (MRAM — magnetoresistive random-access memory) считается одной из перспективных технологий будущего. Она сочетает ряд достоинств как оперативной компьютерной DRAM-памяти (высокая производительность, практически бесконечное число циклов перезаписи, невысокое энергопотребление), так и Flash-памяти (энергонезависимость). Благодаря тому, что в MRAM-памяти для хранения данных не используются, как во Flash-памяти, разнонаправленные электрические заряды, соответствующие двоичным «0» и «1», она устойчива к воздействию радиации и способна работать в широком интервале температур. По этой причине магниторезистивная память широко применяется в космонавтике и в военных целях.

Ключевыми рынками для производимой продукции станут системы хранения данных, мобильные и сетевые устройства, а также сервисы по развитию облачных вычислений. Кроме устройств общего назначения, память TAS MRAM может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия и защищенной памяти. Потенциальный объем мирового рынка для продукции проекта составляет более 40 миллиардов долларов в год.

Производство магниторезистивной памяти по нормам 90 и 65 нм позволит создать устройства MRAM с самой высокой на сегодняшний день плотностью элементов.

РОСНАНО планирует инвестировать в проект до 3,8 миллиарда рублей, или около 140 миллионов долларов. На первом этапе компания и соинвесторы — венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension, и Sofinnova Ventures — вложат 55 миллионов долларов в уставный капитал Crocus.

Еще около 125 миллионов долларов участники проекта проинвестируют в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется дополнительно инвестировать 120 миллионов долларов, которые пойдут на расширение производства и, в перспективе, на совершенствование технологического процесса до норм 45 нанометров.

В ближайшие два года CNE планирует запустить в России завод, способный выпускать до 500 пластин памяти в неделю. На втором этапе инвестиций его мощность будет увеличена до 1 тысячи пластин в неделю. В России и странах СНГ маркетинг и продажу производимых устройств будет осуществлять CNE, в других странах — компания Crocus.

Кроме этого, также запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и систем на чипе (system-on-chip — SOC). На первом этапе Crocus инвестирует более 5 миллионов долларов в российские исследовательские организации.

Французская компания Crocus Technology работает по «бесфабричной» модели, то есть специализируется на проектировании чипов, размещая их производство на чужих фабриках. Она заключила соглашение с израильским производителем специализированных чипов памяти TowerJazz о выпуске MRAM-памяти по 130-нанометровым топологическим нормам (для флэш-памяти рекордной технологией сегодня является 20 нм). Ожидается, что первые коммерческие MRAM-чипы от Crocus поступят на рынок во второй половине 2011 года.