Прогресс в микроэлектронике идёт очень быстро, и с каждым годом количество транзисторов в микросхемах растёт, а техпроцесс их изготовления становится всё тоньше. Не секрет, что роль кремния, которую он длительное время играл в качестве основного сырья для полупроводников, приближается к своему логическому завершению. Это связано с тем, что толщина слоя кремния не может быть менее 2 нм, и дальнейшая миниатюризация приведёт к химической реакции, вызывающей нарушение электрических свойств. Вполне логично, что идёт активный поиск кандидатур для его замены.

После открытия преимуществ, которые может дать применение молибденита (сульфида молибдена) в сфере электроники, исследователи из Политехнического университета Луизианы сделали следующий шаг к практической реализации своих идей.

Специалисты из Лаборатории наноструктур и наноэлектроники создали прототип микросхемы из молибденита, которая продемонстрировала его существенное превосходство над кремнием. Молибденитовые транзисторы показали отличную стабильность работы при толщине слоя материала всего в три атома. Такая толщина даёт трёхкратное итоговое уменьшение полупроводника в размерах, в сравнении с кремниевым аналогом. Кроме того, процессоры из молибденита потребляют меньше электричества, и, в силу особенностей его структуры, являются пластичными.

Сульфид молибдена достаточно часто встречается в природе, и производство полупроводников на его основе не должно быть дорогим. В статье, опубликованном на сайте EurekAlert упоминается, что по некоторым своими характеристикам такие полупроводники не уступают графеновым, а их усиливающие свойства позволят создавать электронику с очень сложной структурой. Остаётся ждать, станет ли данный материал популярным и сможет ли занять место кремния.