Фирма Elpida, являющаяся третьим в мире по величине производителем оперативной памяти, создала реально работающий прототип микросхемы резистивной памяти (ReRAM), о чём появилась заметка на сайте компании.

Вкратце напомним, что работа данного типа памяти основывается на эффекте изменения сопротивления мемристоров – особых элементов в микроэлектронике.

Память ReRam является быстрой, устойчивой к многочисленным циклам перезаписи и энергоэффективной. По всем своим характеристикам она смотрится преимущественнее, чем современная Flash-память; срок её безотказной работы дольше, примерно, в 10 раз, а скорость записи приближается к DRAM.

Прототип микросхемы ReRam был создан по 50 нм техпроцессу, и суммарная ёмкость массива её запоминающих ячеек составила 64 мегабита.

Партнером Elpida в разработке выступила организация New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO). Кроме того, с недавнего времени к работе присоединились компания Sharp, Национальный институт науки и технологий Японии (AIST) и Университет Токио.

В 2013 году совместными усилиями планируется создать гигабитную микросхему ReRam, сделанную по 30 нм технологическому процессу. Напоследок добавим, что корпорации Toshiba и Samsung так же ведут работу в этом направлении.