Уже несколько лет ходят слухи о разработке новых видов компьютерной памяти, однако до сих пор эти проекты оставались на уровне лабораторных экспериментов или, в лучшем случае, штучного производства. К счастью, ситуация постепенно начинает меняться. Компания Everspin, занимающаяся разработкой магниторезистивной памяти, объявила о начале поставок 64-мегабитных модулей.

Ранее максимальный объём выпускаемых ими чипов составлял лишь 16 мегабит, причём технология MRAM не позволяла существенно увеличивать плотность компоновки, поскольку это вызывает чрезмерное возрастание тока записи. Теперь заказчики Everspin могут получить тестовые образцы изделий плотностью 64 Мбит (EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM).

В новых модулях используется технология переноса спинового момента (Spin-transfer torque), когда для смены ориентации поля в магнитном материале используется не наложение внешнего магнитного поля, а протекающий ток, в котором преобладают электроны с нужным направлением спинов. Это позволило обойти проблему увеличения плотности чипов.

Считается, что технология STT должна помочь магниторезистивной памяти преодолеть трудности, с которыми «обычная» MRAM сталкивается при наращивании плотности микросхем.

Новые модули соответствуют стандарту DDR3, что позволяет использовать их как для создания SSD-дисков, так и в DIMM-модулях оперативной памяти. Впрочем, хотя скорость работы у них достаточно высокая (до 3,2 Гб/с), время доступа пока ещё хромает и превышает таковое у обычной оперативной памяти примерно на порядок, так что вряд ли подобная конфигурация получит широкое распространение.

Конечно, на данном этапе память MRAM выглядит недостаточно конкурентоспособной по сравнению с NAND Flash. Плотность чипов ещё слишком мала, стоимость крайне высока (примерно в 50 раз выше, чем у NAND), энергопотребление тоже не блещет (в 5 раз больше),

но есть у MRAM и сильные стороны, такие как очень высокая производительность и низкий износ ячеек при их перезаписи.

В любом случае, Everspin полна оптимизма и планирует в ближайшие годы добиться гигабитной плотности упаковки с использованием 20 нм технологии и даже рассматривает возможность замены новой памятью привычной всем DRAM-оперативки.