Фуллерен как основа для более эффективных смартфонов

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Смартфоны широко шагают по планете, хотя по функциональности они ничто рядом с ноутбуками и тем более ПК. Мизерная оперативная память ограничивает количество одновременно и полноценно работающих приложений и косвенно ведёт к большому расходу энергии, перегревающему устройство и быстро «съедающему» батарею.

Исследователи из Тель-Авивского университета (Израиль) предлагают решить проблему при помощи… фуллереновых транзисторов.

3-1_9.jpg Рис. 1. Затвор (А) используется для активации молекулярных слоёв, расположенных вертикально (В) и отделённых от источника слоем оксида. Три карбоксильных «якоря» прикрепляют фуллерен к изолирующему слою оксидов. (Иллюстрация Elad Mentovich).

Именно фуллерен (С60) позволил Эладу Ментовичу (Elad Mentovich) построить продвинутый транзистор, способный как выполнять функции оперативной памяти, так и накапливать энергию, подобно конденсатору. Этот молекулярный транзистор размером до пары нанометров способен хранить и передавать информацию на весьма высокой скорости. При этом, по словам разработчика, он потенциально вполне готов к массовому производству. И предварительные переговоры такого рода будто бы уже ведутся («с представителями ряда крупных компаний»).

Нынешняя оперативная память весьма габаритна и энергопрожорлива — по крайней мере по меркам смартфонов, рабов литиевых батарей. Решение проблемы на основе фуллереновых полевых транзисторов искали давно, но мешали два факта.

Во-первых, фуллерен при работе в атмосферном воздухе терял свою структуру и окислялся.

Во-вторых, образцы с хорошей мобильностью электронов удалось получить, лишь выращивая (эпитаксиально) фуллереновые транзисторы при 250 ˚С. Гибкая электроника при этом не получалась, да и затраты на производство росли, и значительно.

Но израильский исследователь нашёл выход из непростой ситуации. Вместо того чтобы наполнять ёмкость с транзистором азотной атмосферой, как предлагали другие, он окружил молекулы С60 слоем молекул оксида углерода. Сами они в качестве транзисторов не работают, но и атомам кислорода добраться до транзисторов на С60 не дают, что спасает последние от потери работоспособности.

Действительно серьёзной проблемой оказался подбор такого рода химических связей между изолирующим слоем оксида и фуллереном, который не разрушил бы со временем структуру последнего. Для этого г-н Ментович воспользовался карбоксильными связями, способными не только обеспечить устойчивое к повышению температуры соединение С60 с оксидом, но и не «убить» при этом саму молекулу-транзистор.

Соответствующая работа принята для публикации в журнале Applied Physics Letters.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (11 votes)
Источник(и):

1. compulenta.ru

2. phys.org