Исследователи из Университета штата Орегон (Oregon State University, OSU) объявили о том, что им удалось разработать технологию изготовления мемристоров из нового, легкодоступного и недорого материала. Этим материалом является окись цинка-олова, которая, помимо своих электрических характеристик, еще и прозрачна. Это позволит использовать новые прозрачные мемристоры на основе окиси цинка-олова в составе будущих гибких и прозрачных электронных устройств.

Известно, что мемристоры являются пятым типом основных электронных приборов. Их название, составленное из слов «memory» и «resistor», говорит само за себя и определяет основную функцию этого прибора – ячейку резистивной памяти.

Взглянув назад на несколько лет назад, можно вспомнить, что в научно-исследовательских лабораториях компании Hewlett-Packard были созданы первые наноразмерные мемристоры. А при участии компании Hynix, занимающейся производством микросхем памяти, ведутся работы по созданию коммерческих образцов микросхем резистивной RAM-памяти, ReRAM.

Проблема с мемристорами компании HP заключается в том, что их основой является достаточно дорогой материал, диоксид титана, который дорог как в производстве, так и в обработке.

Вариант мемристоров, созданных учеными OSU, изготавливается из более дешевой окиси цинка-олова, что позволяет рассматривать новые устройства хранения информации на основе мемристоров не только как замену Flash-памяти, потенциал которой практически исчерпан на сегодняшний день.

Дешевизна новой мемристорной памяти, сочетающей скорость доступа динамической RAM и энергонезависимость Flash-памяти, ее малое энергопотребление и высокая эффективность, делают эту память идеальным кандидатом на использование в мобильных и малогабаритных электронных устройствах. Помимо этого, новая ReRAM-память, придя на замену DRAM, может стать тем, что существенно изменит архитектуру и принципы работы современных компьютеров, сделав их быстрее, эффективнее, интеллектуальней и позволяя им включаться и загружаться практически мгновенно.

Дополнительные исследования, проведенные учеными из OSU, показали то, что

окись цинка-олова имеет потенциал и шанс стать заменой дорогому материалу, окиси цинка-галлия-индия, который используется в производстве тонкопленочных транзисторов, используемых в производстве жидкокристаллических дисплеев и другой электроники.