Китай осваивает передовые технологии производства микросхем

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Институт микроэлектроники Академии наук КНР (IMECAS) отрапортовал об очередных достижениях в разработке методик производства электронных микрочипов.

В Китае разработан полевой транзистор с шириной затвора в 22 нанометра. При этом предполагается применение технологии HKMG, которая основана на использовании диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими затворами (metal gate).

china_600.jpg Рис. 1. Фото IMECAS.

В IMECAS отмечают, что

достижение открывает путь к созданию микросхем с быстродействием «мирового класса и низкой рассеиваемой мощностью». В перспективе разработка позволит КНР уменьшить зависимость от иностранных производителей чипов, а также снизить стоимость изготовления электронных устройств. О сроках внедрения технологии не сообщается.

Напомним, что 22-нанометровую методику при выпуске компьютерных процессоров сейчас применяет корпорация Intel. А Samsung готовится к внедрению 14-нанометровой технологии изготовления «систем на чипе» по передовой методике FinFET (Double-Gate Field-Effect Transistors), которая предусматривает применение транзисторов с трёхмерной структурой.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (13 votes)
Источник(и):

1. IMEGAS

2. compulenta.ru