Международная группа, в состав которой вошли исследователи из Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории наноустройств в Тайвне, создала новый вид электронной памяти, способной осуществлять процессы записи и стирания информации в 10–100 раз быстрее, чем самые быстрые образцы существующей компьютерной памяти, использующей для хранения информации электрический заряд. Новая память состоит из слоя диэлектрического материала с включенными в него дискретными кремниевым наноточками, диаметром всего 3 нм. И каждая такая наноточка может хранить один бит информации.

Что бы управлять операциями с памятью, вся структура покрыта тонким слоем металла, который выступает в роли металлического управляющего электрода, затвора. А кремниевая наноточка, в совокупности с диэлектрическим материалом и металлическим управляющим электродом, представляет собой полевой транзистор, способный находиться в активном и неактивном состоянии.

«Созданная нами структура ячейки памяти может быть изготовлена с помощью самой обычной технологии производства полупроводников CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor)» – рассказывает Джия-Мин Ших, исследователь с Тайваня. – «Используя массивы из многочсленных кремниевых наноточек, можно получить память практически любой емкости, информация в которой записывается и считывается быстрым и простым способом».

Секрет потрясающего быстродействия нового типа памяти заключается в использовании сверхкоротких вспышек света зеленого лазера. Воздействие лазерного света на металлический слой в районе кремниевой точки позволяет активировать выбранную ячейку памяти, считать или записать в нее информацию.

По словам исследователей, такой метод хранения информации является весьма надежным и долговременным. Даже в том случае, если какая-либо ячейка памяти полностью выходит из строя, то это не затрагивает ни соседние ячейки памяти, ни информацию, в них содержащуюся.

Такие характеристики памяти на кремниевых наноточках позволят создавать на ее основе новые надежные и высокоскоростные устройства долговременного хранения данных.