Специалисты из Университета Райса и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (оба — США) отрапортовали об очередных достижения в области разработки памяти с изменяемым фазовым состоянием (РСМ).

PCM-память рассматривается в качестве потенциальной альтернативы широко распространённым флеш-накопителям.

Принцип работы чипов РСМ основан на свойстве материала носителя (халькогенида) находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник.

Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нулём и единицей.

Рис. 1. Иллюстрация Университета Райса.

Исследователи утверждают, что

им удалось разработать новую схему кодирования данных в микрочипах РСМ-памяти, позволяющую снизить потребление энергии в режиме записи более чем на 30%.

Методика основана на том, что процессы чтения/записи памяти с изменяемым фазовым состоянием имеют асимметричный характер: переход из одного состояния в другое требует интенсивного нагрева в течение короткого промежутка времени, а обратный переход осуществляется при меньшем, но более продолжительном нагреве.

Учёные показали, что

при помощи комбинирования методов динамического и целочисленного линейного программирования можно минимизировать количество перемещений битов данных. Это позволяет улучшить показатели энергетической эффективности, а также повысить долговечность ячеек памяти.

Результаты своих изысканий учёные представили на конференции IEEE/ACM Design Automation Conference в Сан-Франциско (США).