Компания AIXTRON SE представляет новую систему AIX G5+ производительностью 5 подложек диаметром 200 мм (5×200 мм) для выращивания нитрида галлия на кремниевых подложках.

Новейшая разработка компании AIXTRON SE представляет собой систему для выращивания нитрида галлия на кремнии производительностью 5×200 мм, в основе которой лежит платформа планетарного реактора последнего поколения AIX G5®.

Технология была создана в лаборатории исследований и разработок компании AIXTRON в соответствии с современными тенденциями в мире высоких технологий и включает в себя специальную конструкцию реактора и ряд усовершенствований технологического процесса. Система является продолжением линейки реакторов поколения G5, и любая система G5 может быть модернизирована до последней версии.

«Технология выращивания нитрида галлия на кремнии в настоящий момент является актуальной как для производителей, выпускающих установки МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD), так и для компаний использующих эту технологию для производства, — утверждает Д-р Райнер Беккард, вице-президент по маркетингу компании AIXTRON. — Технология уже является наиболее перспективной в быстрорастущем сегменте силовой электроники, а также многообещающим кандидатом при производстве высокоэффективных недорогих сверхъярких светодиодов. Размер и материал подложки играют ключевую роль, когда речь заходит о снижении себестоимости продукции, и поэтому переход на стандартные кремниевые подложки диаметром 200 мм является логичным шагом развития технологии, поскольку это обеспечивает существенную экономию».

В процессе разработки системы AIX G5+ широко использовалось моделирование, что позволило сконструировать принципиально новые компоненты реактора, обеспечивающие уникальные характеристики системы производительностью 5×200 мм при сохранении совместимости с проверенной платформой AIX G5.

Некоторые предварительные отзывы от пользователей подтверждают успех данной технологической разработки. Многие из них в особенности отмечают полную аксиально-симметричную однородность на всех пяти пластинах диаметром 200 мм, возможность использования кремниевых подложек стандартной толщины, а также контролируемый изгиб пластин. Эта уникальная картина однородности присуща всем системам на основе технологии планетарного реактора AIXTRON, и сейчас она стала доступна при выращивании пластин 5×200 мм GaN на кремнии в конфигурации реактора 5×200 мм.