Исследователи из Университетского колледжа Лондона (Великобритания) отрапортовали о новых достижениях в области разработки энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM).

Память ReRAM (или RRAM) совмещает достоинства DRAM и флеш-памяти NAND.

Микросхемы ReRAM способны обеспечивать приблизительно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок бóльшим числом циклов перезаписи.

Специалистам из Университетского колледжа Лондона, как сообщается, удалось получить первый в мире чип ReRAM на основе оксида кремния, способный функционировать при обычных условиях. Другие похожие изделия работоспособны только в вакууме, что ограничивает сферу их применения.

Рис. 1. Микрочип памяти ReRAM (изображение Университетского колледжа Лондона).

Исследователи подчёркивают, что новый микрочип по сравнению с флеш-памятью требует в 1 000 раз меньше энергии и обеспечивает 100-кратный прирост производительности.

Предложенная технология также открывает путь к созданию прозрачных чипов памяти.

Предполагается, что в перспективе микросхемы ReRAM будут использоваться в персональных компьютерах, карманных медиаплеерах, видеокамерах, различных мобильных устройствах и пр.