Энергопотребление смартфонов растёт как на дрожжах. Топовые модели, при полноценной загрузке, включающей интернет-серфинг, с постоянно работающим wi-fi, игры и просмотр видео, зачастую едва способны протянуть сутки без подзарядки. Не смотря на ухищрения разработчиков, направленные на повышение энергоэффективности экранов и процессоров, время автономной работы таких устройств слишком мало, чтобы назвать его комфортным. Однако, частота процессора и диагональ экрана – далеко не единственные факторы, серьезно влияющие на скорость расходования батарейки.

Планшеты и смартфоны, как и многие другие сложные электронные устройства используют DRAM, в качестве оперативной памяти и SRAM в виде кэша процессора. Оба этих стандарта памяти разрабатывались достаточно давно для настольных ПК, и не претендуют на энергоэффективность.

Кроме того, для поддержания их состояний требуется электричество, полное отключение от источника питания потребует перезагрузки операционной системы со всеми приложениями.

По сообщению сайта Computerworld UK, японская корпорация Toshiba разработала микросхемы магниторезистивной памяти MRAM специально для мобильных телефонов. Данный тип памяти лишён недостатков применяемых сейчас модулей; он быстрый и энергонезависимый. Изначально планируется применять MRAM в качестве кэша процессоров, это, по уверениям специалистов Toshiba, может снизить их энергопотребление на 75% и уменьшит количество обращений к ОЗУ.

Следующим этапом планируется замена микросхем DRAM на MRAM. Это позволит полностью отключать оперативную память во время простоя устройства и ускорит работу активных программ. Финальным шагом будет применение магниторезистивной памяти вместо флеш-накопителя. Разработанные Toshiba микросхемы памяти будут создаваться по 30 нм техпроцессу. Сроки доступности и цены пока что не уточняются.