Ученые создали в графене запрещенную зону, поместив его на изгибы подложки из карбида кремния. Работа опубликована в журнале Nature Physics, а ее краткое содержание можно прочитать на сайте Технологического института Джорджии.

В качестве подложки ученые использовали карбид углерода, в котором создавались специальные борозды глубиной до 20 нанометров. Травление проводили при помощи пучка электронов.

Затем на полученные борозды при высокой температуре наносили углерод. Попадая на подложку, он кристаллизовался в виде полос графена. При этом двумерное вещество принимало форму складок, вытравленных в карбиде.

Электронные свойства полученного материала ученые измеряли при помощи облучения на синхротронной установке.

Авторы обнаружили, что

складывание графена на подложке создает в нем характерную для полупроводников запрещенную зону и, таким образом, превращает в полупроводник.

Запрещенная зона – это область диапазона энергий, которой не может обладать электрон в веществе. В полупроводнике она отделяет валентные электроны от электронов, проводящих ток.

Физики пока не знают, как именно образуется в графене запрещенная зона, и почему ее ширина отличается от рассчитанной. В тех областях, где поверхность подложки была плоской, графен сохранял свои свойства хорошего «металлического» проводника. Это говорит о том, что управляя формой поверхности, можно создавать как металлические, так и полупроводниковые зоны на одном листе графена.

Потенциально, это позволит избежать необходимости в металлических контактах и позволит создать полностью углеродные микрочипы.