Со времени открытия графена более десяти лет назад, он удивляет ученых своими непревзойденными электронными свойствами, своей силой и легким весом. Но долгожданная цель так и не достигнута: получить свойство, называемое шириной запрещенной зоны, необходимое графену для его использования в изготовлении транзисторов и других электронных устройств.

Новые выводы, сделанные исследователями из Массачусетского технологического института, помогают сделать главный шаг к созданию графена с этим желанным качеством. Также данная работа может привести к пересмотру некоторых теорий относительно физических свойств графена.

Новый метод предполагает размещение листа графена, материала на основе углерода, структура которого в толщине всего один атом, в верхней части гексагонального нитрида бора, еще одного материала, толщиной в один атом, с аналогичными свойствами. Полученный материал имеет удивительную способность графена проводить электроны, плюс к этому приобретает ширину запрещенной зоны, необходимой для изготовления транзисторов и других полупроводниковых приборов.

Соавторами работы, описанной в журнала Science, представлены Пабло Харийо Эрреро, доцент кафедры физики в Массачусетском технологическом институте, профессор физики Рэй Ашори и 10 других исследователей.