Российская электронная промышленность все больше зависит от импортного сырья и комплектующих, но понемногу сокращает разрыв с ведущими производителями электронной компонентной базы, заявил, выступая на коллегии Счетной палаты аудитор Сергей Агапцев. Он пояснил, что в 2010 году был достигнут технологический уровень электроники 130 нанометров, а в 2011 году – 90 нм. По планам к 2015 году будет достигнут технологический уровень в 45 нм.

Аудитор Счетной палаты также рассказал, что в 2010–2012 годах после проведенной реконструкции и технического перевооружения было введено в эксплуатацию 43 объекта разработки и производства электроники, разработано 158 базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники, завершено 10 поисковых технологических научно-исследовательских работ.

Сергей Агапцев отметил, что значительная часть технологического оборудования, а также сырье и расходные материалы, применяемые в микроэлектронике, импортного производства. Тем самым с каждым годом усиливается зависимость от импортных материалов.

«В целом результаты контрольного мероприятия свидетельствуют о том, что разрыв в технологиях производства электронной компонентной базы с наиболее развитыми странами сокращается, но незначительно», – резюмировал свое выступление Аудитор Счетной палаты.