Совет директоров принял решение внести изменения в основные параметры реализации проекта «MRAM: Создание производства магниторезистивной оперативной памяти в России». В частности, было одобрено предоставление головной компании Crocus Technology дополнительного финансирования в рамках участия РОСНАНО в очередном раунде наряду с другими инвесторами.

Напомним, что магниторезистивная память (MRAM) является универсальной полупроводниковой памятью и объединяет в себе лучшие свойства других видов памяти (энергонезависимость, высокая скорость чтения/записи, высокое количество циклов перезаписи).

В октябре 2013 года российское подразделение компании — «Крокус Наноэлектроника» — запустило первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти на территории Технополиса «Москва». В январе 2014 начаты поставки коммерческой продукции. Более 85% объема выручки «Крокус Наноэлектроника» предполагается получать от экспорта за рубеж.