Технология, разработанная в Окриджской Национальной Лаборатории (ORNL) открывает возможности для прямой печати и модификации электронных схем на 2D-материале без использования трудоёмких и многоэтапных литографических процессов.

Сотрудники Центра нанофазного материаловедения ORNL продемонстрировали, что гелий-ионный микроскоп, обычно используемый для резки, можно применять для управления распределением ферроэлектрических доменов и выращивания конических наноструктур с увеличенной проводимостью.

В статье для журнала ACS Applied Materials and Interfaces представлены результаты, полученные для экспериментальных образцов тиофосфата меди/индия — нового многослойного ферроэлектрического 2D-материала. Подобные 2D-полупроводники с настраиваемыми свойствами в будущем могут заменить кремний в ряде приложений.

Электронные свойства 2D-материала можно изменять пучком ионов

«Сегодня все ищут новый материал, который стал бы альтернативой кремнию в транзисторах, — пишет главный автор статьи, Алекс Белянинов. — 2D-устройства выделяются низким потреблением энергии, простыми и недорогими технологиями производства, не требующими агрессивных химических веществ, потенциально опасных для окружающей среды».