Британские ученые нашли метод, позволяющий видеть сквозь полупроводниковый материал микросхем. Такой подход наверняка пригодится для производителей электроники, позволяя обнаруживать в микрочипах мельчайшие дефекты.

Свой новый метод исследователи из Университета Глазго, Эксетерского университета и компании QinetiQ Ltd описали в статье, опубликованной журналом Science Advances. В его основе лежит использование терагерцового (или субмиллиметрового) излучения, частота которого расположена между инфракрасным и микроволновым. Как правило, такое излучение хорошо проходит сквозь диэлектрики, но поглощается металлами, оно безопасно и широко применяется на практике, например при «сканировании» багажа.

Чтобы сделать полупроводниковый кремний микросхемы прозрачным для терагерцовых волн, авторы предварительно «накачивали» образец импульсами оптического излучения. Этот луч высвобождал электроны в отдельных участках кремния, временно позволяя терагерцовым волнам проходить сквозь обычно непрозрачный для них образец толщиной 115 мкм. Улавливая отраженный сигнал, ученые сумели просканировать всю поверхность микрочипа и восстановить изображение объекта, помещенного с обратной его стороны.

Одно из изображений, «увиденных» авторами сквозь кремниевый микрочип / ©Stantchev et al., 2016

По сообщению авторов, их метод позволяет регистрировать дефекты размерами до 8 мкм и станет полезным средством контроля качества на фабриках по производству кремниевых микросхем. Возможно, он найдет применение и в биологии для визуализации тонких срезов живых тканей и клеток – именно тонких, поскольку вода слишком хорошо поглощает терагерцовое излучение.