Международная группа физиков во главе с исследователями из университета штата Арканзас создали искусственный материал со структурой, сопоставимой с графеном.

«Мы создали первую искусственную графеноподобную структуру с атомами переходных металлов в месте атомов углерода», – сказал Жак Чахалян, профессор физики и директор лаборатории искусственных квантовых материалов в университете Арканзаса.

Графен, открытый в 2004 году, является листом графита в один атом толщиной. Графеновые транзисторы, по прогнозам, будут значительно быстрее и более нагревостойкими, чем современные кремниевые транзисторы, что может привести к созданию более эффективных компьютеров и следующего поколения гибкой электроники. Его первооткрыватели были удостоены Нобелевской премии по физике в 2010 году.

Группа исследователей опубликовала свои выводы на этой неделе в журнале Physical Review Letters, журнале Американского физического общества, в статье «Mott Electrons in an Artificial Graphene-like Crystal of Rare Earth Nickelate.»

«Это открытие дает нам возможность создавать подобные графену структуры на основе многих других элементов», – сказали исследователи.

Исследование также частично финансируется Китайской академией наук.

Источник: S. Middey, D. Meyers, D. Doennig, M. Kareev, X. Liu, Y. Cao, Zhenzhong Yang, Jinan Shi, Lin Gu, P. J. Ryan, R. Pentcheva, J. W. Freeland, J. Chakhalian. **Mott Electrons in an Artificial Graphenelike Crystal of Rare-Earth Nickelate **. Physical Review Letters, 2016; 116 (5) DOI: 10.1103/PhysRevLett.116.056801

Вас также может заинтересовать: