Способность ферроэлектрических материалов изменять поляризацию под действием внешнего электрического поля открывает для них широкий круг приложений, включая хранение двоичных данных в запоминающих устройствах, сенсоры и конденсаторы.

Новый полимерный ферроэлектрический кристалл, созданный в Университете Хоккайдо (Япония), позволит ускорить разработку гибких, удобных в производстве (синтезируемых из раствора) и менее токсичных ферроэлектриков, чем те, что используются сегодня.

Органические ферроэлектрики обычно менее симметричны, чем неорганические, поэтому их можно поляризовать только в одном направлении, и из-за хаотичной ориентации молекул степень такой поляризованности крайне невелика.

Принципиальное отличие от них кристалла, представленного японскими учёными в статье для Nature Chemistry, заключается в наличии у него высокотемпературной пластической фазы, в которой все беспорядочно ориентированные молекулы можно выстроить в любом направлении под действием электрического поля.

После охлаждения до температуры немного выше комнатной получается ферроэлектрик с высокой степенью поляризованности, пригодный для применения в устройствах энергонезависимой ферроэлектрической памяти произвольного доступа.

Авторы статьи полагают, что дальнейшие исследования кристаллов, образованных из молекул, близких к использовавшемуся ими хинуклидину, могут привести к открытию новых ферроэлектриков, а химическая модификация ионов, входящих в такие молекулы, улучшит их функциональные характеристики.