Надёжный контакт с графеном обеспечит жидкий металл
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
В калифорнийском центре Naval Warfare Systems Center Pacific (SSC Pacific), занимающемся исследованиями, разработкой, внедрением и поддержкой космических и кибернетических систем для управления, разведки, коммуникаций в боевых условиях, найден новый способ надёжного подключения графеновых устройств к электронным схемам. Он предполагает применение жидкого металла вместо типичных жёстких электродов из золота или серебра.
В лабораторных испытаниях этот метод позволил получить низкое контактное сопротивление, сравнимое с лучшими результатами, опубликованными в научной литературе, но с дополнительными преимуществами – низкой ценой и гибкостью.
Обычно графен получают химическим осаждением из газовой фазы на медной подложке, переносят на нужную основу и затем удаляют медь. Но эта финальная стадия травления требует применения агрессивных химикатов и часто ведет к загрязнению и порче графена. Предложенная сотрудниками SSC Pacific новая процедура построена на использовании более чистого метода переноса электролизом – графеновая плёнка отделяется от меди пузырьками, которые под действием электричества возникают в водной среде.
В качестве материала электродов для полученного ими идеального графена, сотрудники SSC Pacific в сотрудничестве с представителями Инженерного колледжа Гавайского университета использовали нетоксичный жидкий металл галинстан. Плотно прилегая к поверхности такой электрод обеспечивал надёжный электрический контакт, кроме того, позволил быстро изготовить прототипы для дальнейших исследований по мультиспектральному детектированию, переконфигурируемым антеннам и камуфляжу с активным подавлением поступающих сигналов.
Статьи с подробным описанием этих работ опубликованы в IEEE Transactions on Electron Devices.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев