Альтернативой кремниевым транзисторам, которые перегреваются в процессе работы, допускают утечку электрического тока и быстро приближаются к пределу миниатюризации, может стать материал на основе модифицированных металлическими квантовыми точками нанотрубок нитрида бора (BNNT).

О нем в статье, выходящей в Scientific Reports на этой неделе, рассказывает профессор физики Мичиганского технологического университета Ёк Хин Яп (Yoke Khin Yap).

Сами по себе BNNT являются отличными изоляторами, что позволяет предотвращать утечку тока и тепловые потери. Электроны же распространяются по внедрённым в нанотрубки золотым или железным частицам. При наличии достаточно высокого энергетического потенциала, происходит перепрыгивание отталкиваемого изолятором электрона с одной квантовой точки на другую — квантовый туннельный эффект.

В отличие от полупроводников, при квантовом туннелировании отсутствует электрическое сопротивление в его классическом понимании, а значит, не выделяется тепло. К тому же, наноматериалы открывают возможности дальнейшего уменьшения размеров транзисторов, а устойчивость тока через квантовые точки к деформациям BNNT создает предпосылки для их применения в гибкой носимой электронике.