На конференции 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), imec — ведущий центр исследований в наноэлектронике — представил самый миниатюрный в мире перпендикулярный магнитный туннельный переход (p-MTJ). Устройство размером 8 нм обеспечивает 100-процентную туннельную магниторезистивность и напряжённость магнитного поля 1500 эрстед.

Эта разработка создаёт предпосылки для изготовления массивов высокоплотной памяти STT-MRAM, встраиваемых в логические схемы с характерным размером 10 нм и менее.

Магнитный туннельный переход является ключевым элементом STT-MRAM, рассматриваемой как альтернатива DRAM, выгодно отличающаяся энергонезависимостью, низковольтной коммутацией и практически абсолютной циклической стабильностью чтения-записи.

«STT-MRAM это многообещающая концепция памяти для будущих этапов развития технологий, но её масштабируемость на высокие плотности всегда представляла проблему, — заявил Гури Санкар Кар (Gouri Sankar Kar), координирующий в imec работы над RRAM, DRAM-MIMCAP и STT-MRAM. — Наша демонстрация высокопроизводительного устройства p-MTJ, не превышающего по габаритам 8 нм, в комбинации с производственным решением для высокомасштабируемого массива STT-MRAM откроет возможности дальнейших инноваций во встраиваемых приложениях энергонезависимой памяти для логических схем с детализацией 10 нм».