Одним из наиболее перспективных кандидатов на роль технологии памяти следующего поколения считается решеточная (cross-bar) резистивная (мемристорная) память. Ее сильными сторонами являются энергонезависимость, малое время доступа, высокая плотность и несложный производственный процесс.

Профессор корейского Научно-технического университета POSTECH, Тхэ Ву Ли (Tae-Woo Lee) и возглавляемый им исследовательский коллектив разработали технологию быстрого изготовления высокоплотных масштабируемых массивов перекрещивающихся одномерных мемристоров (медных нанопроводов с оксидным слоем Cu_xO).

Как сообщается в журнале Advanced Materials, структура металл-оксид-металл обеспечивает превосходные электрические характеристики и воспроизводимое резистивное переключение.

Применяемый авторами простой процесс электрогидродинамической печати нанопроводов (e-NW) в отличие от технологий литографии позволяет обойтись без вакуумной камеры, что существенно снижает стоимость и время изготовления массивов микроминиатюрных мемристоров. Он также создаёт предпосылки для дальнейшего уменьшения характерного размера этих устройств вплоть до нескольких нанометров.

Используя этот процесс, корейские ученые изготовили мемристорные массивы различной формы, в том числе параллельные решетки с изменяемым шагом, сетчатые и волнообразные структуры. Как заявил профессор Ли, это демонстрирует возможности применения данной технологии для изготовления гибкой и эластичной памяти, которая найдёт применение в будущих носимых компьютерах, умной ткани и текстильных электронных устройствах.