Т-волны ускорят компьютерную память в тысячи раз
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Вместе с коллегами в Германии и Нидерландах, ученые из Московского физико-технического института (МФТИ) в журнале Nature Photonics предложили способ радикального улучшения производительности компьютера. Использование для перезагрузки ячеек памяти так называемых T-волн (терагерцевый диапазон) позволит ускорить этот процесс в несколько тысяч раз, в сравнении с коммутацией под воздействием магнитного поля.
Для того, чтобы оценить пригодность терагерцевого излучения с длиной волны порядка 0,1 мм для переключения состояний памяти, исследователи провели эксперимент на образце из ортоферрита туллия. Этот слабый ферромагнит генерирует магнитное поле, выстраивая спины атомов в микрокристаллах (магнитных доменах). Для того, чтобы переориентировать спины обычно требуется внешнее магнитное поле, однако, эксперимент показал, что контролировать намагниченность можно и напрямую терагерцевым излучением. Оно инициирует электронные переходы в ионах туллия и изменяет магнитные свойства как их, так и ионов железа.
Более того, эффект от Т-волн оказался на порядок выше, чем от внешнего магнитного поля. Другими словами, авторы изобрели быструю и высокоэффективную технику перемагничивания, создав прочный задел для разработки сверхбыстродействующей памяти. Они также указывают, что ортоферрит туллия был выбран из соображений удобства демонстрации, но предложенная схема контроля намагничивания применима ко многим другим магнитным материалам.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев