В Воронеже ученые разработали наноматериалы для элементов памяти нового поколения

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

-->

Ученые Воронежского государственного университета (ВГУ) разработали новые магнитные наноструктурированные материалы, которые можно использовать при изготовлении инновационных устройств для хранения и воспроизведения памяти.

Коллектив ученых Воронежского государственного университета выполнил проект «Изготовление магнитных наноструктурированных материалов силицидов переходных металлов (Si-Me) с эффектом оптического перемагничивания для элементов памяти нового поколения».

В ходе проекта были получены материалы, которые, позволят обеспечить сверхвысокое быстродействие, которое обеспечивается новым способом записи, еще не используемым в серийных устройствах. Такие материалы ориентированы, прежде всего, на рынок наноматериалов для фотоники, микросистемной техники и устройств памяти.

Справка.

ВГУ является одним из крупнейших вузов России. Он включает в себя 18 факультетов, на которых обучаются более 20 тысяч студентов из 75 регионов России. Ежегодно в стенах университета проходят обучение более 1 тысячи иностранных студентов из около 80 стран мира. За последние полвека в ВГУ прошли подготовку около 15 тысяч иностранных граждан из 141 государства.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (1 vote)
Источник(и):

РИА Новости