Члены международного научного консорциума, организованного в прошлом году для исследования спиновой хиральности, экспериментально подтвердили уникальные свойства магнитных кристаллов с хиральной структурой. Такие материалы ( например, CrNb₃S₆) под воздействием слабого внешнего магнитного поля ведут себя так, как если бы состояли из магнитов размером с атом, расположенных по спирали.

В декабре 2015 г. те же ученые показали, что плотность «намотки» таких спиралей контролируется интенсивностью внешнего магнитного поля, а определять количество витков можно на основании ступенчатого графика изменения электрического сопротивления материала. Авторы смогли уверенно детектировать 20 дискретных состояний таких спиралей — результат, открывающий перспективы создания высокоплотной многоуровневой памяти.

«Например, ёмкость запоминающего устройства с 10 новыми ячейками из хиральных магнитов, каждая из которых принимает 10 дискретных состояний, будет 10 000 000 000, или в 10 млн раз больше, чем у обычной магнитной памяти с тем же числом ячеек», — пояснил доктор Ёшихико Тогава (Yoshihiko Togawa) из Осакского университета, лидер исследовательской команды консорциума.

Дальнейшая работа команды, включающей также учёных из России и Великобритании, посвящена технологическим аспектам практического применения хиральных магнитов в сенсорах, логических и запоминающих устройствах.