Используя простую методику механического расщепления, опробованную первооткрывателями графена, сотрудники лаборатории сверхскоростного лазера Канзасского университета (KU) получили новый двумерный полупроводник, состоящий из двух атомарных слоёв дисульфида молибдена и дисульфида рения.

«Оба они очень хорошо поглощают свет и имеют высокую гибкость», — рассказал Хуэй Чжао (Hui Zhao), один из авторов посвящённой этому исследованию публикации в Nanoscale Horizons. Цель всей работы, по его словам, заключается в создании светоизлучающих устройств толщиной всего несколько нанометров, которые можно было бы изгибать, сжимать и растягивать.

В более ранних работах ученые экспериментировали с различными бислойными материалами, однако в них электроны и дырки находились в разных атомных слоях. Это затрудняло рекомбинацию зарядов и существенно (более, чем на два порядка) снижало эффективность излучения света.

Для получения бислоя MoS₂/ReS₂ авторы использовали обычную липкую ленту, столь хорошо зарекомендовавшую себя в отмеченном Нобелевской премией 2010 г. эксперименте по выделению из графита индивидуального атомного слоя — графена. При этом в KU удалось осуществить гораздо более сложную операцию: поочередно перенести скотчем с кристаллов на общую подложку два атомных слоя, наложив их друг на друга с точностью в пределах одного микрометра.

Новый материал локализует и электроны и дырки в слое дисульфида рения, благодаря чему испускает свет с высокой интенсивностью. Эта его особенность ранее была предсказана авторами теоретически и теперь получила экспериментальное подтверждение.