В качестве многообещающей интеграционной платформы, кремниевая фотоника нуждается в лазерных источниках на кристалле, которые значительно улучшают её возможности, а также уменьшают размеры и рассеивание энергии экономичным способом, пригодным для использования в массовом производстве.

Лазеры рекордно малого размера с электронной накачкой стали итогом сотрудничества двух команд исследователей: из Научно-технического университета Гонконга и из Калифорнийского университета в Санта-Барбара.

Ученым удалось получить самый маленький лазер в виде квантовой точки радиусом 5 мкм методом эпитаксиального выращивания на подложке из стандартного промышленного кремния (001). Устройство имеет пороговый ток 0,6 мА, высокую температурную стабильность и излучает в близком ИК-диапазоне (длина волны 1,3 мкм). Габариты и пороговый ток у этого лазера на порядки меньше, чем у аналогов, выращивавшихся на кремниевой основе прежде.

Об их достижении сообщалось в престижном научном журнале Optica.

Авторы характеризуют получение высокопроизводительного микролазера выращиванием на кремнии, как значительный шаг на пути к использованию прямой эпитаксии III-V/Si в качестве альтернативы методам склеивания подложек (wafer-bonding).