Разработан метод конструирования чипов из слоёв толщиной в атом

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Микросхемы традиционно размещаются на относительно толстых подложках из кремния и, до недавнего времени, не могли функционировать без них. Изготовление чипов из атомарно тонких материалов позволило бы устранить многие ограничения, свойственные кремниевой микроэлектронике. Комбинируя различные сверхтонкие элементы можно совместить в одной схеме различные электрические и тепловые свойства.

В Чикагском университете группа под руководством профессора Парка (Jiwoong Park) уже несколько лет работает над технологией изготовления 2D-модулей больших интегральных схем, путём сшивания разных фрагментов в одной плоскости. На международном симпозиуме AVS в Тампе (штат Флорида), они представили дальнейшее развитие этого проекта: метод вертикальной интеграции 2D-модулей в многослойные объёмные чипы.

«Для наших исследований мы сначала создали атомарно тонкую бумагу различных цветов, представляющих различные электрические, оптические или термические свойства. Мы объединили их латерально, что эквивалентно сшиванию. Затем наложили их друг над друга, что является вертикальной интеграцией. Таким образом, мы пытаемся разработать крупномасштабные, полностью функционирующие интегральные схемы, используя атомарно тонкие материалы как двумерные строительные блоки, подобно цветной бумаге», — заявил Парк.

Такая конструкция позволяет упаковывать большую площадь поверхности схемы в относительно малом объёме, и, в перспективе может экспоненциально расширить функциональность чипов без увеличения их размеров.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (4 votes)
Источник(и):

ko.com.ua