Ну, не совсем летающий — атомарно тонкий слой 2D-материала «парит», опираясь на подпорки в виде полусфер нанометрового диаметра. Таким способом команда исследователей из корейского института KAIST решила исключить один из главных факторов нестабильности высокоэффективных 2D-полупроводников — влияние материала подложки.

В контакте с такой наносферической подложкой находится менее 10 процентов площади 2D-материала. Благодаря этому нежелательные контактные явления уменьшаются до пренебрежимо малого уровня, и полупроводник, не умаляя общности, можно считать свободно левитирующим.

При сохранении механической стабильности устройства, мобильность носителей заряда возрастает вдвое, обеспечивая значительное улучшение производительности 2D-полупроводника.

Кроме того, команде удалось добиться существенного удешевления производства «левитирующего» полупроводника. Вместо того, чтобы использовать дорогостоящее оборудование для формирование сферического нанорельефа основы, они применили метод самосборки, при котором молекулы автоматически формируют нужные наноструктуры. Этот метод также хорошо совместим с технологическими процессами изготовления полупроводников.