Неожиданное открытие с перспективой применения в миниатюрной и экономичной компьютерной памяти сделала объединённая команда Университета им. Джона Хопкинса и Национального института стандартов и технологий (NIST). Учёные обнаружили, что могут изменять полярность наномагнита CoFeB, не прилагая внешнего магнитного поля, лишь пропустив электрический ток через смежные с ним слои платины и вольфрама. Этот эффект коммутации с нулевым полем (Zero-Field Switching, ZFS) упустили в своих прогнозах даже теоретики.

В эксперименте использовался особый тип электрического толка — спиновый, т.е. такой, при котором спин всех электронов ориентирован в одном направлении. Спиновый токи в смежных слоях оказывают перемагничивающее воздействие на слой кобальта-железа-вольфрама. Без такого тока полярность наномагнита остаётся стабильной при любых изменениях электрического тока и температуры окружающей среды.

Считывание магнитного состояния ячейки подобной энергонезависимой памяти может производиться электрическим или оптическим способом, посредством магнитооптического эффекта Керра.

Авторы, опубликовавшие полученные результаты в журнале Physical Review Letters, теперь рассчитывают найти другие перспективные материалы, демонстрирующие ZFS в одиночном перпендикулярном наномагните, а также разрабатывают теоретический базис для этого явления.