Терагерцовый процессор стал ближе
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Ученые из Еврейского университета в Иерусалиме под руководством Уриела Леви (Uriel Levy) представили технологию, которая сможет ускорить работу компьютеров и волоконно-оптической связи на два порядка. Им удалось найти материал, который позволяет удерживать заряд в тонком слое нитрида кремния, что открывает возможности для создания терагерцевого процессора. Статья опубликована в журнале Laser & Photonics Reviews.
На настоящий момент главная проблема, связанная с созданием подобных процессоров, связана со способностью системы справляться с увеличением рабочей нагрузки. Израильские ученые решили эту проблему за счет создания чипов, работающих на основе оптических технологий.
Они показали эффективность материала под названием MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon). Выяснилось, что соединение позволяет удерживать заряд в тонком слое нитрида кремния. Ученые придумали новую интегральную схему, которая использует технологию флэш-памяти в микрочипах. В случае успеха новая технология позволит процессорам работать в 100 раз быстрее, говорится в статье.
«Открытие может помочь заполнить так называемый терагерцевый разрыв, и мы сможем создавать новые, более мощные беспроводные устройства, которые будут передавать данные на существенно более высоких скоростях, чем это возможно сейчас», — сказал Леви.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев