Скорость преобразования кремниевого исходника в тонкую плёнку является сдерживающим фактором в производстве плёнок монокристаллического кремния для солнечных элементов. Химическим осаждением из газовой фазы (CMD) — основной метод ,используемый для эпитаксии — такая плёнка формируется с максимальной скоростью всего несколько микрометров в час.

В лаборатории токийского Университета Васэда, профессор Сугуру Нода (Suguru Noda) поднял температуру кремниевого пара с 1414° (точка плавления) до >2000°. Увеличенное парциальное давление позволило довести скорость кристаллизации плёнки до 10 мкм в минуту.

Плёнка осаждалась на затравочном слое пористого кремния, шероховатость поверхности которого предварительно была уменьшена до 0,2–0,3 нм методом рекристаллизации с зонным нагревом. Это позволило уменьшить количество дефектов в монокристаллической пластине до уровня промышленных кремниевых пластин.

Как указывается в статье, опубликованной по результатам работы в журнале Королевского Химического Общества, CrystEngComm, в принципе этот метод может улучшить выход годного материала на 100%. Таким образом, от этой технологии ожидают значительного снижения себестоимости производства монокристаллических кремниевых солнечных панелей при одновременном сохранении эффективности генерирования энергии. Также предполагается использовать подобные тонкие плёнки в качестве нижних элементов тандемных солнечных батарей с общим кпд более 30%.