Компания Samsung Electronics официально объявила о завершении работ по запуску производства чипов с технологическими нормами 5 нм.

В объявленном процессе FinFET EUV используется литография в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне, которую компания уже хорошо апробировала в технологии 7 нм, открытой для партнеров в октябре прошлого года. Как отмечается, Samsung уже готова принимать заказы у клиентов на производство тестовых образцов по нормам 5 нм, причем для этого не потребуется новый инструментарий для разработчиков чипов, можно будет использовать уже имеющиеся средства, обкатанные на 7 нм.

Как утверждает производитель, технология производства с нормами 5 нм по сравнению с 7 нм позволит снизить энергопотребление выпускаемых чипов на 20% или же поднять их производительность на 10%. Кроме того, такой переход позволит сократить себестоимость продукции, поскольку на одной пластине теперь можно будет разместить на 25% больше полупроводниковых элементов.

Также отмечается, что технология FinFET EUV с нормами 5 нм уже запущена на линиях фабрики S3 в г. Хвасеон (Hwaseong). Кроме того, строящееся производство недалеко от Fab S3, которое будет открыто во второй половине нынешнего года, будет изначально настроено на выпуск чипов по технологии 5 нм.