«Считалось невозможным»: создан революционный метод производства фотоэлементов
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Американские ученые продемонстрировали возможность выращивания полупроводников методом ХГФЭ, который принято считать нереализуемым с распространенными материалами. Новый процесс гораздо экономичнее, чем современные технологии изготовления.
Существует масса научной литературы, в которой доказывается, что вырастить полупроводники из фосфида алюминия-индия и алюминия-галлия-индия методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии (ХГФЭ) невозможно. Однако открытие ученых их Национальной лаборатории возобновляемой энергии США опровергло это утверждение, пишет Phys.org.
Солнечные элементы на основе соединения элементов группы III–V, названные так из-за положения в периодической таблице, обычно применяются в космонавтике. Они отличаются высокой эффективностью, но для использования на Земле они слишком дорогие. С целью удешевить производство этих фотоэлементов ученые из США разработали новый метод выращивания — динамическую ХГФЭ.
Обычная ХГФЭ десятки лет считалась лучшей технологией производства светодиодов и фотодетекторов, пока ей на смену не пришел метод осаждения металлорганических соединений из газовой фазы (MOVPE). Оба процесса требуют осаждения пара на подложке, но у MOVPE есть преимущество — он образует резкие гетерогенные границы между двумя различными полупроводящими материалами. Появление динамической ХГФЭ меняет ситуацию.
Как это работает
Для получения трихлордиа алюминия из твердого алюминия и газообразного хлорида водорода ученые использовали генератор, разогретый до 400 градусов Цельсия. Трихлорид алюминия намного стабильнее в среде реактора ХГФЭ, чем монохлоридная форма. Другие компоненты — хлорид галлия и хлорид индия — испарялись при температуре 800 градусов. Затем эти три элементы соединили вместе и поместили на подложку при 650 градусах.
Раньше исследователи применяли динамическую ХГФЭ для получения солнечных элементов из арсенида галлия и фосфида галлия-индия. Однако у фосфида алюминия-индия, который производят методом MOVPE, выше показатель прозрачности. В ходе нынешних экспериментов ученые добились аналогичной прозрачности, применяя процесс динамической ХГФЭ.
«ХГФЭ дешевле, — пояснил Аарон Птак, старший научный сотрудник Национального центра. — А теперь мы достигли той же эффективности, как и у других процессов, но более экономичным способом».
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев