Ученые Южного научного центра РАН (Ростов-на-Дону) разработали принципиально новую технологию получения пленок сложных оксидов, которая позволяет создавать новую активную среду для микроэлектроники следующего поколения. Об этом сообщает пресс-служба организации со ссылкой на главного научного сотрудника Южного научного центра РАН Владимира Мухортова.

Нелинейные полифункциональные диэлектрики, в том числе сегнетоэлектрики, представляют собой новую активную среду для микроэлектроники следующего поколения с принципиально новыми свойствами. Речь идет о тонких пленках многокомпантного оксида толщиной от 4 нанометров и выше.

«Ученые разработали новую установку "Плазма-50 СЭ», на которой можно сделать тонкие пленки сегнетоэлектриков различного состава при высоком структурном совершенстве. При этом установка компактна, она величиной с письменный стол не требует высокой энергетики и особых производственных условий. Ее можно широко использовать как в научных центрах, так и в производстве. Устройство намного дешевле аналогов, выпускаемых в США, при существенном превосходстве в качестве тонких пленок", – рассказал Мухортов.

По его словам, это открывает путь к конструированию новых веществ с уникальными свойствами.

«На их основе нами разработан ряд принципиально новых электрически перестраиваемых устройств микроэлектроники», – отметил ученый.