Горячая новость Intel Arch Day 2020: техпроцесс 10нм SuperFin

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

На прошедшем 13 августа Intel Architecture Day 2020, как и в прошлые годы, руководством компании были озвучены ее ключевые достижения и приоритеты на ближайшее будущее. Мы хотели бы поделиться по горячим следам самым интересным, что услышали на мероприятии. В этом посте — важнейшая новость о процессорной технологии 10нм SuperFin.

После многих лет усовершенствования FinFET транзисторов, Intel вносит ряд внутри-нодовых изменений, сравнимых по влиянию на производительность с переходом на более тонкий техпроцесс. Технология, названная 10нм SuperFin, сочетает транзисторы FinFET последнего поколения с Super MIM (metal insulator metal, металл-изолятор-металл) конденсаторами.

nano1.png

Преимущества SuperFin — улучшенный эпитаксиальный сток/исток, усовершенствованная технология затвора и дополнительный шаг затвора для обеспечения более высокой производительности за счет:

  • улучшения эпитаксиального роста структур кристалла на стоке и истоке, увеличивающие напряжения и уменьшающие сопротивление для прохождения большего тока через канал;
  • улучшения затвора для обеспечения большей мобильности каналов, что позволяет носителю заряда перемещаться более быстро;
  • организации дополнительного шага затвора для более высокого тока возбуждения при определенных операциях, требующих предельной производительности;
nano2.png
  • использовании нового затвора для уменьшения межслойного сопротивления на 30% и улучшения производительности интерконнекта;
  • 5-кратного улучшения емкостного сопротивления при той же занимаемой площади по сравнению с аналогами, что уменьшает падение напряжения и значительного улучшает производительность. Это стало возможным из-за применения нового класса Hi-K диэлектриков, объединенных в ультра-тонкие слои толщиной всего в несколько ангстремов и образующих повторяющуюся «супер решетчатую» структуру.
nano3.png

С точки зрения плотности элементов и производительности, технология 10нм SuperFin примерно эквивалентна использующимся сейчас 7нм технологиям. В течении следующего года будет проходить дальнейшее ее усовершенствование — результат будет называться Enhanced SuperFin.

nano4.png

Следующий мобильный процессор Intel (кодовое имя Tiger Lake), отгрузка которого производителям начнется к новогодним праздникам, базируется на технологии 10нм SuperFin. Решено полностью заменить во всех продуктах наименование техпроцесса 10нм++ на 10нм SuperFin, в дальнейшем плюсы использоваться не будут.

На этом новости с Intel Architecture Day 2020 не заканчиваются. Продолжение следует.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.8 (6 votes)
Источник(и):

Хабр