Новое соединение хранит данные в магнитных вихрях при комнатной температуре
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Развитие цифровых технологий увеличивает потребность в системах обработки и хранения данных в геометрической прогрессии. Американские ученые сообщили о создании нового материала, способного сохранять свойства скирмионов при комнатной температуре благодаря высокому давлению.
Скирмион — это мельчайшая из возможных пертурбаций однородного магнита, точечный регион обратной намагниченности, окруженный вихрем спинов. Эти крайне малые области, наряду с возможностью двигаться под действием слабого электрического тока, придают материалам свойства емких хранилищ информации. В будущем они могут лечь в основу новых типов устройств хранения информации.
Однако состояние скирмиона обычно существует только в очень низком и узком температурном интервале. К примеру, в материале, который исследовали ученые из Университета Хьюстона, скирмионное состояние существует только между 55 и 58,5 Кельвина (от –218 до –214 градусов Цельсия), что не очень практично, пишет Phys.org.
Работая с соединением оксиселенида меди, ученые смогли существенно расширить температурный интервал до 300 К или 27 градусов Цельсия, то есть до комнатной температуры. Этого они смогли добиться при давлении в 8 ГПа с помощью разработанной ими техники.
Вдобавок, они обнаружили, что оксиселенид меди при повышении давления претерпевает различные структурно-фазовые переходы. Ученые предполагают, что скирмионное состояние может оказаться более распространенным, чем считалось ранее. Кроме того, требуемое для поддержания этого состояния давление можно достичь химическим путем, и тогда соединение будет работать при нормальных условиях окружающей среды. Это еще один шаг к возможному промышленному применению технологии.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев