Появился новый метод, который ускорит процессоры Intel на 20%

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Intel представила новый метод производства процессоров, который повысит их производительность на 20%. Инженеры заявили, что это самое большое повышение продуктивности устройств в истории компании.

Корпорация Intel представила новый метод изготовления транзисторов на полупроводниках, который, по словам главного архитектора, может повысить производительность следующего поколения процессоров Intel на целых 20%.

Intel — одна из немногих компаний в мире, которая разрабатывает и производит свои чипы. Теперь она объявила о новом способе изготовления транзисторов SuperFin, которые наряду с новым материалом, используемым для улучшения конденсаторов на чипах, повысят производительность процессоров.

Как обещают разработчики, этот процесс позволит компании качественно улучшить параметры полупроводниковых устройств. Утверждается, что SuperFin — это самый удачный в истории Intel опыт оптимизации производственного процесса.

Это 20%, самый большой внутриузловой скачок за всю нашу историю. Это очень большое повышение производительности, мы гордимся тем, что разработали этот метод, – Раджа Кодури, главный архитектор Intel.

Журналисты Reuters отмечают, что компания пока не представила новые продукты, поэтому проверить утверждения Intel сложно. Они надеются протестировать их осенью 2020 года. К примеру, метод SuperFin будет использоваться в производстве процессоров для ноутбуков Tiger Lake, которые должны выйти через несколько месяцев.

В будущем Intel хочет провести еще одну оптимизацию техпроцесса: его назовут Enhanced SuperFin. В нем будут сделаны дополнительные шаги для улучшения производительности транзисторов и новые усовершенствования соединений.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4 (2 votes)
Источник(и):

ХайТек