Создана самая маленькая в мире атомная единица памяти
Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.
Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.
Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru
Инженеры Техасского университета в Остине создали самый маленький носитель площадью до 1 кв. нанометра. В 2018 году исследователи создали самое тонкое запоминающее устройство на тот момент. В этой новой работе группа ученых оттолкнулась от этого опыта и еще больше уменьшили размер и площадь поперечного сечения до одного квадратного нанометра.
Когда еще один атом металла входит в эту наноразмерную дыру и заполняет ее, он передает часть своей проводимости материалу, и это дает ей возможность запоминать. <…> Святой Грааль науки — это когда масштабирование снижается до уровня, что только один атом отвечает за память. И это то, чего мы достигли в новом исследовании, – Деджи Акинванде, профессор кафедры электротехники и вычислительной техники.
Несмотря на то, что исследователи использовали дисульфид молибдена, также известный как MoS2, в качестве основного наноматериала в своем исследовании, они считают, что открытие можно применить к сотням подобных атомарно тонких материалов.
Сейчас идет гонка за то, чтобы максимально уменьшить чип и его составляющие. Это оправданно, с меньшими процессорами вы можете делать более компактные компьютеры и телефоны. Уменьшение размеров микросхем также снижает их энергопотребление и увеличивает емкость.
Новое устройство относится к категории мемристоров, это популярная область исследования памяти, сосредоточенная вокруг электрических компонентов с возможностью изменять сопротивление между двумя его выводами без необходимости в третьем выводе в середине, его еще называют как затвор. Так новые устройства могут занимать меньшую площадь и быть более вместимыми, чем современные устройства для хранения информации.
- Источник(и):
- Войдите на сайт для отправки комментариев