Компания TSMC, крупнейший поставщик полупроводников из Тайваня, объявила о намерении расширить производство 5-нм чипов до миллиона единиц к концу текущего года и полностью освоить новые методы изготовления 3-нм техпроцесса уже в 2021 году. Как сообщает AnandTech, 11% от общих поставок TSMC будут составлять именно 5-нм процессоры, а за производство будут отвечать заводы Fab 18.

Заводы Fab 18 занимают шесть зданий и полностью заточены на 5-нанометровые чипы. Рисковое производство на этих фабриках началось еще в конце 2019 года, а массовые конвейеры начали работу во втором квартале текущего года. 5-нм процессоры будут изготавливаться с помощью технологии сверхжесткого ультрафиолетового излучения (EUV). Данный метод повышает плотность упаковки электронных компонентов на 80%, а также увеличивает быстродействие на 15%.

В течение 2021 года TSMC увеличит объемы производства 5-нм чипов в два раза, а к концу 2022 года — в три.

На данный момент у TSMC два крупных клиента — Huawei и Apple. Первая получит последнюю партию процессоров Kirin 9000 для смартфона Huawei Mate 40 к 15 сентября, а затем попрощается с тайваньским производителем из-за санкций, наложенных правительством США. А вторая, по слухам, будет использовать 5-нм технологии в процессорах Apple A14, предназначенных для линейки iPhone 12, которая должна быть представлена осенью этого года.

Что касается технологического процесса на 3-нм (N3), тайваньский производитель не будет использовать ту же архитектуру, что и главный конкурент в лице Samsung, а пойдет по собственному пути.

Представители TSMC не уточняют, какие разработки лягут в основу 3 нанометров, но говорят, что производительность вырастет на 15% по отношению к чипам 5-нм, а энергопотребление сократится на 30%. Старт массового производства намечен на вторую половину 2022 года.

Кроме того, компания продвигается в освоении 2-нм техпроцесса. TSMC уже работает над созданием литейного производства и запускает строительство нового завода. Сами процессоры будут разрабатываться по технологии GAA (gate-all-around), а не с помощью системы FinFET, используемой для 3-нм техпроцесса.