В полупроводнике обнаружили следы «безмассовых» электронов Дирака

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Исследователи из Азербайджана, России и Японии выяснили, что в полупроводнике с формулой GeSb2Te4 могут существовать электроны, которые ведут себя так, будто у них нет массы. Об открытии авторы рассказали на страницах журнала ACS Nano.

Соединение GeSb2Te4 имеет фазовый переход: при нагревании его структура переходит из аморфной в кристаллическую. Каждая структура обладает индивидуальными свойствами. Также такой переход обратим, а значит это соединение является идеальным материалом для использования в электронных устройствах, в которых информацию нужно записывать и перезаписывать несколько раз.

«Материалы с фазовым переходом привлекли большое внимание из-за резкого контраста оптических и электрических свойств между двумя их фазами, — говорит один из авторов статьи, профессор кафедры физических наук Университета Хиросимыавтор статьи Акио Кимура. — Электронную структуру этого поплупроводника в аморфной фазе ранее уже рассматривали, а вот экспериментального анализа электронной структуры в кристаллической фазе еще не проводилось».

Авторы обнаружили, что кристаллическая фаза этого материала содержит электроны Дирака — частицы, которые ведут себя так, будто у них нет массы. Ученые также обнаружили, что поверхность кристаллической структуры имеет общие характеристики с топологическим изолятором — видом материалов, у которых электрический ток протекает только по поверхности, но не в объеме вещества.

По словам ученых, похожее на кристаллическую фазу GeSb2Te4 поведение наблюдается у графена. Это значит, что такой материал можно рассматривать как трехмерный аналог графена. Такой полупроводник сочетает в себе скорость передачи импульсов и механическую гибкость. Он может стать основой для создания следующего поколения электрических телекоммуникационных устройств.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (1 vote)
Источник(и):

Индикатор