Исследователи из Массачусетского технологического института (MIT) разработали новый ультратонкий материал для оптимального хранения памяти. С момента открытия ультратонкого материала — графена — ученые активно начали изучать свойства аналогичных структур.

Ранее исследователи из лаборатории Массачусетского технологического института выяснили, что если уложить отдельные листы 2D-материала и скрутить их под небольшим углом друг к другу, то можно получить новые необычные свойства — от сверхпроводимости до магнетизма.

В новой работе исследователи из той же лаборатории провели подобный эксперимент с нитридом бора, его еще называют белым графеном. Такое название закрепилось отчасти потому, что этот материал имеет атомную структуру, похожую на графен.

Авторы новой работы выяснили, что если два отдельных листа нитрида бора уложить параллельно друг другу, то материал становится сегнетоэлектрическим — положительные и отрицательные заряды в нем самопроизвольно направляются в разные стороны или полюса. Если приложить внешнее электрическое поле, то эти заряды переключаются на другую сторону и меняют поляризацию. Авторы отмечают, что все это происходит при комнатной температуре.

Новый материал потенциально имеет множество применений. Его можно использовать для плотного хранения памяти, и вся информация будет стабильна даже спустя время. Также новый материал имеет толщину в несколько нанометров — это один из самых тонких сегнетоэлектриков.