Химики фундаментальным образом изменили свойства цинка

Друзья, с момента основания проекта прошло уже 20 лет и мы рады сообщать вам, что сайт, наконец, переехали на новую платформу.

Какое-то время продолжим трудится на общее благо по адресу https://n-n-n.ru.
На новой платформе мы уделили особое внимание удобству поиска материалов.
Особенно рекомендуем познакомиться с работой рубрикатора.

Спасибо, ждём вас на N-N-N.ru

Из школьного курса химии нам известно, что валентность цинка — то есть его способность создавать связи с другими атомами — равна двум. Однако исследователи из США установили, что под действием определенного реагента этот элемент может стать трехвалентным, что фундаментально меняет его свойства и может привести к появлению новых промышленным материалов.

«Эта технология позволяет манипулировать химией на фундаментальном уровне, обеспечивая возможность синтеза новых материалов с заданными свойствами», — сказал профессор Пуру Джена из Университета Содружества Вирджинии, автор статьи, вышедшей в журнале Nanoscale.

Несмотря на то, что цинк считается переходным металлом, его третья электронная оболочка, расположенная вокруг ядра, не участвует, в отличие от других переходных металлов, в химической реакции этого элемента и не наделяет его магнитными свойствами, пишет Sience Daily. Однако при взаимодействии с чрезвычайно стабильными трианионами происходят изменения — электроны третьей оболочки вступают в реакцию, и цинк приобретает магнитный момент.

«Поразительные свойства наноматериалов заключаются в том, что они могут значимо отличаться от своих крупных аналогов. К примеру золото, благородный металл, может стать реактивным, если уменьшить его размер до нанометров, — сказал профессор Джена. — Это мы называем современной алхимией».

В основе революционного открытия профессора — предшествующая работа его команды, в которой они разрабатывали атомные кластеры, способные сохранять высокую стабильность во время переноса множественных зарядов.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.8 (4 votes)
Источник(и):

ХайТек